
这一分析流程中广泛应用在半导体封装的深埋结构分析中。利用朝阳蔡司朝阳X射线显微镜和搭载飞秒激光系统的蔡司双束电镜Crossbeam Laser(LaserFIB),准确定位样品的目标区域,并进一步进行高分辨成像拍摄和EDS分析。
分类:公司新闻 发布时间:2024-05-06 16082次浏览
这一分析流程中广泛应用在半导体封装的深埋结构分析中。利用蔡司X射线显微镜和搭...
这一分析流程中广泛应用在半导体封装的深埋结构分析中。利用朝阳蔡司朝阳X射线显微镜和搭载飞秒激光系统的蔡司双束电镜Crossbeam Laser(LaserFIB),准确定位样品的目标区域,并进一步进行高分辨成像拍摄和EDS分析。
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